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> 400-1100nm硅探测器 > 近红外增强1060nmAPD

产品说明

所述C30954EHC30955EHC30956EH是采用双扩散“穿透”结构的通用硅雪崩光电二极管。这些光电二极管的设计是长波响应(即>900纳米)已得到增强,而不会引入任何不良属性。

这些APD1060纳米有高达40%的量子效率。同时,该二极管保持低噪声,低电容,以及快速的上升和下降时间特性。

为了帮助简化许多设计需要,这些APD也在Excelitas的高性能混合前置放大器模块类型C30659系列可用,以及前置放大器和TE冷却器并入模块类型 LLAM系列。请参考相应的部分本产品目录中。

特征和优点                                  应用

·在1060nm高量子效率                                    ·测距

·快速响应时间                                          ·激光雷达(光探测和测距)

·工作温度范围宽                                        ·YAG激光检测

·低结电容

·密封包装

·RoHs认证

名称 Photon Sensitive DiameterRespon- sivity @1060nmDark currentSpectral noise currentcapacitance @100KHzResponse TimeNEP@ 1060nmVop Range pdf
unit mm A/W nA pA/√Hz pF ns fW / √Hz)  下载PDF
C30954EH 0.8 36 50 0.5 14 275-425  下载PDF
C30955EH 1.5 34 100 0.5 15 275-425  下载PDF
C30956EH 3.0 25 100 0.5 10 20 275-425  下载PDF
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